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非接触半绝缘SiC电阻率测量仪

非接触半绝缘SiC电阻率测量仪

  • 产品型号:GEST-201
  • 更新时间:2021-05-20
  • 产品介绍:非接触半绝缘SiC电阻率测量仪主要通过四探针法测试单晶硅电阻率,具有自动定位的三坐标自动测量系统,可以自由设置测量点数量,自动测试完成,可以对测试出的数据进行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圆电阻率测试仪器。
  • 在线留言 010-57223838

产品介绍

产品名称:全自动晶圆成像电阻率测试仪

一、产品概述

仪器采用了*电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。

二、仪器构成:

1、 高精度电阻率测试仪

3、 测试探头

高精度电阻率测量仪:

1.1电阻率:0.00001~20000Ω.cm (可扩展)

1.3电阻:0.00001~20000Ω.cm;

2.1量程0.01mV-2000 mV

2.3 精度:±0.1% ;

3、恒流源:

3.2电流误差:±0.5%

三坐标测试移动品台:

2、X轴Y轴*小位移量:0.125MM

四探针测试电极:

上位机软件测量成像系统

2、 测量点数:可以设定

4、 2D成像:测试完成后,可以立体成像

 

 

 

并且可以证实绝缘子耐受住了制造者给出的额定机械负荷。A.4中给出了根据使用者要求的负荷和保证值(斜率和额定机械负荷)来选择绝缘子的例子。本试验的目的是检查绝缘子强度与时间的对数关系曲线的斜率是否不大于某一规定值。通常,该曲线的斜率没有规定。但实际上常见的大值在(5%〜7%)1min破坏负荷时间对数刻度。为了安全起见,同意规定此强度——时间曲线的斜率不得超过8%芯棒1min破坏负荷时间对数刻度。求得该斜率的简单办法是做两个机械破坏负荷试验:一个是在1min期间的。

另一个是在96h期间的。但是,要预知能给出平均破坏时间为96h的负荷是很难的。这是因为,对于相同的1min破坏负荷,如果曲线的斜率是6%而不是8%,则按96h试验8%斜率算岀的这个负荷要维持到平均10个星期。因此,做这一试验的实际方法是,首先做1min破坏负荷试验,然后再做96h耐受试验,从中再估算出96h破坏负荷。注:96h持续时间实际上是根据其位于对数坐标中1min〜50年的中间位置并考虑一些试验室的具体做法而选取的。1min平均破坏负荷(M’Q和该数值分散性的标准偏差(处)二者是必要的,后者用来计算96h耐受值。通常是做3只绝缘子的1min破坏负荷试验并算出其平均值(Mav)o然后选取一个定值作为其标准偏差。

 

 

 

 

 

非接触半绝缘SiC电阻率测量仪

非接触半绝缘SiC电阻率测量仪

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