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半导体硅片电阻率测试仪

半导体硅片电阻率测试仪

  • 产品型号:GEST-201
  • 更新时间:2021-05-14
  • 产品介绍:半导体硅片电阻率测试仪主要通过四探针法测试单晶硅电阻率,具有自动定位的三坐标自动测量系统,可以自由设置测量点数量,自动测试完成,可以对测试出的数据进行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圆电阻率测试仪器。
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产品介绍

全自动晶圆成像电阻率测试仪

产品名称:全自动晶圆成像电阻率测试仪

产品型号:GEST-201

一、产品概述

本仪器主要通过四探针法测试单晶硅电阻率,具有自动定位的三坐标自动测量系统,可以自由设置测量点数量,自动测试完成,可以对测试出的数据进行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圆电阻率测试仪器。

仪器采用了*电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。

本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能测试

二、仪器构成:

本仪器主要组成部分有:

1、 高精度电阻率测试仪

2、 三坐标测试移动平台

3、 测试探头

4、 上位机软件测量成像系统

高精度电阻率测量仪:

1、测量范围

1.1电阻率:0.00001~20000Ω.cm (可扩展)

1.2电导率:0.00005~10000 s/cm;

1.3电阻:0.00001~20000Ω.cm;

2、电压测量:

2.1量程0.01mV-2000 mV

2.2分辨力:10μV;

2.3 精度:±0.1% ;

2.4显示:触摸屏操作显示

3、恒流源:

3.1电流输出:10μA, 100μA, 1mA, 10mA, 100mA, 1A,

3.2电流误差:±0.5%

3.3各档连续可调

三坐标测试移动品台:

1、X轴Y轴移动行程:120MM

2、X轴Y轴*小位移量:0.125MM

3、R轴*小分度值:0.0125°C

四探针测试电极:

1、间距:1±0.01mm;
2、针间绝缘电阻:≥1000MΩ; 
3、机械游移率:≤0.3%;
4、探针:碳化钨或高速钢Ф0.5mm;
5、 探针压力:5~16 牛顿(总力);

上位机软件测量成像系统

1、 测量方式:弧度测量、角度测量

2、 测量点数:可以设定

3、 测试数据:实时同步显示

4、 2D成像:测试完成后,可以立体成像

5、 数据导出:可以保存测试数据生成电子版本

 

 

——玻璃纤维和浸渍树脂之间的界面;——填充料粒与聚合物之间的界面;——芯棒与伞套之间的界面;——伞套的各个部分之间;伞裙之间,或伞套与伞裙之间界面;——伞套、芯棒与金属附件之间的界面。金属附件是构成复合绝缘子的一种器件,它与支持结构物、导线、设备的部分或另一•只绝缘子相连接。芯棒和金属附件之间传递负荷的区段。联接是金属附件一部分,通过这个部分可以将负荷由外部附件传递到复合绝缘子上。起痕是由于在绝缘材料的表面上形成通道并且发展而形成的一种不可逆的劣化现象,这种通道甚至在干燥的条件下也是导电的。起痕可以产生在与空气相接触的表面上,也可产生在不同绝缘材料之间的界面上。树枝状通道是由材料内部形成的微细通道。

额定机械负荷是在本标准的机械试验中要用到的由制造厂规定的一种负荷。逐个试验负荷是在逐个机械试验(见8.3)期间对所有装配好的复合绝缘子要施加的负荷。设计试验旨在验证设计、材料和制造方法(工艺)是否合适。当一种复合绝缘子进行设计试验时,其结果应认为对整类复合绝缘子都有效,该类绝缘子由被试的该种绝缘子所代表,——芯棒、伞套材料相同,并且制造方法(工艺)相同;——相同的附件材料、相同的设计和相同的附着方法;——*芯棒上的伞套材料层厚度(包括所采用的伞套)相同或较大;—*高系统电压与绝缘子长度之比相同或较小;一*所有机械负荷与两附件间芯棒小直径之比相同或较小;——*芯棒直径相同或较大。被测试的复合绝缘子应按图纸上标有制造公差的所有尺寸进行检査。

以后,如果复合绝缘子的设计数据变化较小,不超过用“*”号表示的特性值的15%,则设计试验不需重复。型式试验用来验证复合绝缘子的主要特性,这些主要特性取决于其形状和尺寸。型式试验对通过了设计试验的复合绝缘子类型进行。仅当复合绝缘子的型式或材料改变时(见6)该型式试验才需重复进行。抽样试验是为了验证复合绝缘子其他特性,包括取决于制造质量和所用材料的特性。验收的绝缘子批中随机抽取的绝缘子上进行。本试验用来剔除有制造缺陷的复合绝缘子,它对提交验收的每个复合绝缘子进行。本试验由5.5.5.5.5.5和5.6所叙述的6个部分组成。设计试验仅进行一次,并将结果记录在试验报告中,每一部分试验可以独立地用合适的新试品进行。

 

 

 

 

半导体硅片电阻率测试仪

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